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陽極氧化鋁板氧化膜生成的正常道理。
陽極氧化膜成長的一個先決條件是，電解液對氧化膜應有熔化感化。但這并非說在全部存在熔化感化的電解液中陽極氧化都能生成氧化膜或生成的氧化膜性質雷同。
陽極氧化按電流情勢分為：直流電陽極氧化， 交流電陽極氧化，脈沖電流陽極氧化。按電解液分有：硫酸、草酸、鉻酸、混雜酸跟以磺基有機酸為主溶液的天然著色陽極氧化。按膜層性質分有：正常膜、硬質膜(厚膜)、瓷質膜、光亮修飾層、半導體感化的阻擋層等陽極氧化。鋁及鋁合金常用陽極氧化辦法跟工藝條件見表-5。此中以直流電硫酸陽極氧化法的運用為廣泛。 陽極氧化膜由兩層造成，多孔的厚的外層是在占有介電性質的致密的內層上上成長起來的，后者稱為阻擋層(也稱活性層)。用電子顯微鏡觀察研討，膜層的縱橫面簡直全都出現與金屬名義垂直的管狀孔，它們貫穿膜外層直至氧化膜與金屬界面的阻擋層。以各孔隙為主軸四周是致密的氧化鋁造成一個蜂窩六棱體，稱為晶胞，全部膜層是又無數個如許的晶胞造成。阻擋層是又無水的氧化鋁所造成，薄而致密， 占有高的硬度跟阻擋電流經由過程的感化。阻擋層厚約0.03-0.05μm，為總膜后的0.5%-2.0%。氧化膜多孔的外層重要是又非晶型的氧化鋁及小量的水合氧化鋁所造成，別的還含有電解液的陽離子。當電解液為硫酸時，膜層中硫酸鹽含量在畸形情形下為13%-17%。氧化膜的大部分優良特征都是由多孔外層的厚度及孔隙率所覺決議的，它們都與陽極氧化條件親密相干。
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